Новый метод основан на создании гибридной подложки, составленной из двух оксидов - кремния и гафния (SiO2 и HfO2), а также использовании особой технологии нанесения на нее нанотрубок. В процессе изготовления транзисторов последние закреплялись только на тех участках, которые были покрыты оксидом гафния, в то время как участки из оксида кремния выступали в качестве изоляторов. Контролируемое нанесение нанотрубок на подложку достигалось с помощью использования поверхностно-активных веществ, которые выступали в качестве посредника между углеродом и активированной поверхностью оксида гафния. При этом технически для изготовления транзисторов достаточно было опустить подложку в суспензию нанотрубок - они сами распределятся вдоль отведенных линий оксида. В результате, исследователям удалось на два порядка увеличить плотность ориентированных нанотрубок на электронном устройстве по сравнению с ранее описанными методами. Углеродные нанотрубки представляют интерес для микроэлектроники благодаря своей миниатюрности и полупроводниковым свойствам. Однако, их использование для создания микрочипов требует разработки технологии управляемого нанесения на подложку. С другой стороны, для создания газовых сенсоров нанотрубки можно использовать и аморфном виде - ранее ученые предложили применить их для изготовления детекторов спелости фруктов. Ссылки по теме  |
понедельник, 29 октября 2012 г.
Нанотрубки упаковали в рекордно плотный чип
Подписаться на:
Комментарии к сообщению (Atom)
Комментариев нет:
Отправить комментарий